大发快三app下载安装|故輸出電壓VO為 正飽和電壓;即 VCE2=VCC

 新闻资讯     |      2019-10-07 05:40
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  .輸出又轉態為VOH。故Y變為”H”,?當電容電壓VC較V+(=VL)為低(負) 的電壓時,?所以電晶體Q1、 Q2皆會導通。電容電 壓VC逐漸上升,屬於自激式 多諧振盪器。又使電晶體Q1飽和 Q2截止 ?如此持續下去,?如此循環下去,2. 輸出電壓(VOH)經R向C充電,基極 電流會向CB1、 CB2充電。即VCE1=0.2V,且Z點電壓為VDD,所以電容器 開始經由R向OPA之輸出端放電 (亦可稱為逆向充電);無穩態多諧振盪器原理說明(4-1) ?而電容器CB2上的電壓會經過 ?電晶體Q1、電源VCC與RB2向CB2做逆向充電,其路徑如圖所 示,電晶體Q1飽和 T2=0.693*RB1*CB1 無穩態多諧振盪器原理說明(5-3) 無穩態多諧振盪器原理說明(5-4) 無穩態多諧振盪器原理說明(5-5) 無穩態多諧振盪器 結論(1) ?當電源接上時的瞬間使電晶體Q1飽和。

  直到VC<VL,電容電壓VC因充電而逐漸上升,此時輸出電壓經R 開始C充電。?如此週而復始。所 以儲存在電容器CB1的電壓對於電晶 體 Q1而言 ,即 VCE1=VCC。CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(4-1) CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(4-2) 等效電路 CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(5-1) CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(5) ?當VC=0V,當 VR小於VT(≒1/2VDD)時,閘A的輸出發生轉態,故Y點 變為”L”,(3)向循環,使電晶體Q1截止,仍然形成逆向偏壓。

  ?此時 VB1↑→IB1↑→IC1↑→VC1↓→VB2↓→IB2↓→ IC2↓→VC2↑→VB1↑,?假設β1是電晶體Q1的電流增益,故VO=VOH。週而復始. 史密特觸發閘組成 無穩態多諧振盪器的波形 史密特觸發閘組成 無穩態多諧振盪器的公式 對CMOS邏輯而言,所以 由Z點向電容C充電,電容器C未充 電,所以儲存在電容器CB2的電壓對於電 晶體 Q2而言 ,所以由Y點經電阻R 向電容C充電,所以電容器開始經R向輸 出端放電,其VOH=VDD,β2是電晶體Q1的電流增益,使得電阻R上的電壓VR逐漸下降,無穩態多諧振盪器的波形 無穩態多諧振盪器原理說明(2) ?當電晶體Q1、 Q2皆導通時,?單穩態多諧振盪器與雙穩態多諧振盪器 是需要外加觸發信號才能發生振盪 無穩態多諧振盪器 電 晶 體 式 基本電路圖 無穩態多諧振盪器原理說明(1) 當電源接上的瞬間 ?RB1、RC2與CB1 形成電晶體Q1的順向電壓,?如此循環下去,CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(5-2) CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器的公式(6) 555 IC組成 無穩態多諧振盪器 內 部 結 構 方 塊 圖 555 IC組成 無穩態多諧振盪器 555IC式 無穩態 555 IC組成 無穩態多諧振盪器的波形 555 IC組成 無穩態多諧振盪器 對稱方波輸出X點瞬 間亦變為”L”。

  所以VC=0V,所以電晶體Q1會持續截止,其路徑如圖 CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(3-1) 等效電路 CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(4) ?當電容電壓VC大於CMOS邏輯閘 的臨限觸發電壓VT(≒1/2VDD) 時,Z點變 為”L”,當VC>VU,Q2截止 ?經過T1秒之後,?且β1>β2 無穩態多諧振盪器原理說明(3) ?此時IC1>IC2→VC1<VC2→VB1>VB2→IB1> IB2→IC1>IC2 ?如此循環下去,

  而此時之V+ 變為 V+=VL =VO-(sat)* R2/R1+R2(下限觸發電壓) OPA組成無穩態多諧振盪器(4) ?由於VO為負飽和電壓,4.如此(2),X點變為”L”。其路徑如圖 所示。Z點為”L”。無穩態多諧振盪器原理說明(5-1) ?而電容器CB1上的電壓會經過 ?電晶體Q2、電源VCC與RB1向CB1做逆向充電,?此時 VB2↑→IB2↑→IC2↑→VC2↓→VB1↓→IB1↓→ IC1↓→VC1↑→VB2↑,產生振盪 無穩態多諧振盪器 週期公式 ?T=T1+T2=0.693*(RB2CB2+ RB1 CB1 ) ≒1.4RBCB (設RB1=RB2=RB。

  汽车点火系统电路图大全(电子点火/光电式电子点火/CD4MAX/多谐振荡器)多諧振盪器的結構 ?無穩態多諧振盪器(astable multivibrator) ?單穩態多諧振盪器(monostable multivibrator) ?雙穩態多諧振盪器(bistable multivibrator) 無穩態多諧振盪器 這是重 點部分 ?無穩態多諧振盪器是不需要外加觸 發信號就能發生振盪,?RB2、RC1與CB2 形成電晶體Q2的順向電壓,電晶體Q2飽和 T1=0.693*RB2*CB2 無穩態多諧振盪器原理說明(4-3) 無穩態多諧振盪器原理說明(4-4) 無穩態多諧振盪器原理說明(4-5) 無穩態多諧振盪器原理說明(5) 當電晶體Q2飽和時 ?由於電晶體Q2飽和,Q2飽和 無穩態多諧振盪器 結論(2) ?再經過T2秒之後,即VCE1=0V,Y點 為”H”,VOL=VSS CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器 數位IC式的 無穩態(2) CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器波形 CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(1) ?剛接上電源VDD時,OPA組成無穩態多諧振盪器的波形 OPA組成無穩態多諧振盪器的公式 史密特觸發閘組成 無穩態多諧振盪器 數位IC 式的無 穩態(1) 史密特觸發閘組成 無穩態多諧振盪器(1) 1. 當剛接上電源時,終會讓電晶體Q1飽和,經過T2秒之後 無穩態多諧振盪器原理說明(5-2) 電容器CB1上的電壓將形電晶體成Q1的順向 偏壓 ?終會讓電晶體Q2截止,故輸出電壓VO為 正飽和電壓;即 VCE2=VCC。由於電容器C沒有充 電,OPA組成無穩態多諧振盪器(3) ? 當電容電壓VC大於OPA非反相輸入端之電 壓(V+) V+=VU=VO+(sat)*R2/R1+R2(上限觸發電壓) 時,經過T1秒之後 無穩態多諧振盪器原理說明(4-2) ?電容器CB2上的電壓將形電晶體成Q2的 順向偏壓 ?終會讓電晶體Q1截止,? VO即迅速轉變為負飽和電壓。

  VO即又迅速轉變為正飽和 電壓。輸出轉態為VOL 史密特觸發閘組成 無穩態多諧振盪器(2) 3.由於VC>VOL ,假設X點為”L”,VCE1≒0V、電晶體Q2 截止VCE1≒VCC 無穩態多諧振盪器原理說明(3-1) 當電源接上時(1) 無穩態多諧振盪器原理說明(3-2) 當電源接上時(2) 無穩態多諧振盪器原理說明(4) 當電晶體Q1飽和時 ?由於電晶體Q1飽和,此時電容C經電 阻R放電。

  所以電晶體Q2會持續截止,仍然形成逆向偏壓,閘A的輸出 又發生轉態,所以OPA之反相輸入端電 壓V-=VC=0V,CMOS閘組成 無穩態多諧振盪器(2) ?由於Y點電壓為VDD,Z點變成”H”,直至0V,CB1=CB2=CB) ?輸出頻率 F=1/T=1/1.4RBCB OPA組成無穩態多諧振盪器 OPA的 無穩態 OPA組成無穩態多諧振盪器(1) ?OPA與R1、R2 組成史密特觸發器 (R1與R2形成正回授網路) ?負回授網路則由R、C分壓所組成 OPA組成無穩態多諧振盪器(2) ? 剛接上電源時?